以下内容为部分AEC-Q200試驗條件:详细并不完整,这个属于本身的机密文件,如果有需要做的朋友,可以联系我..說明:AEC-Q200的環境試驗條件,主要是依據MIL-STD-202與JEDEC22A-104規範來制定的,不同零件的試驗溫度除了不一樣之外,其施加電源(電壓、電流、負載)要求也會有所不同,高溫儲存屬於不施加偏壓與負載,但是在高溫工作壽命就需要,溫度循環與溫度衝擊,其試驗目的與手法不一樣,在溫度循環中高低溫變化需控制溫變率,溫衝擊則不用,偏高濕度就是俗稱的高溫高濕試驗,而濕度抵抗就是濕冷凍試驗試驗條件注意事項:1000h試驗過程需在250h、500h進行間隔量測高溫儲存(MIL-STD-202-108):[適用設備:THS] 薄膜電容、網路低通濾波器、網路電阻、熱敏電阻、可變電容、可變電阻、陶瓷共鳴器、EMI干擾抑制器、EMI干擾過濾器:85℃/1000h電感、變壓器、電阻:125℃/1000h變阻器:150℃/1000h鉭電容、陶瓷電容、鋁電解電容:最大額定溫度/1000h 高溫工作壽命(MIL-STD-202-108):[適用設備:THS] 網路低通濾波器、網路電阻:85℃/1000hEMI干擾抑制器、EMI干擾過濾器:85℃/1000h/施加額定IL鉭電容、陶瓷電容:最大額定溫度/1000h/ (2/3)負載/額定電壓 鋁電解電容、電感、變壓器:105℃/1000h薄膜電容:1000h/(85℃/125%額定電壓、105℃&125℃/100%額定電壓)自恢復保險絲:125℃/1000h電阻、熱敏電阻、可變電容:125℃/1000h/額定電壓可變電阻:125℃/1000h/額定功率變阻器:125℃/1000h/額定電壓85%+ma電流陶瓷共鳴器:85℃/1000h/額定VDD+1MΩ,並聯逆變器,在每個晶體腳和地之間有2X的晶體CL電容石英震盪器:125℃/1000h/額定VDD+1MΩ,並聯逆變器,在每個晶體腳和地之間有2X的晶體CL電容..黄工手机(Mobile):18718473100 Q Q :
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